| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.095 Ω |
| 极性 | N |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.092Ω/Ohm @2.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive). 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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ROHM RTR025P02FRATL 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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