类型 | 描述 |
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封装 | SOT-346 |
漏源极电阻 | 0.125 Ω |
极性 | N |
漏源极电压(Vds) | 45 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RTR025P02FRATL 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 QZ 逻辑电平
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RTR025N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.066 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RTR025N05FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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