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RW1A025APT2CR
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RW1A025APT2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:RW1A025APT2CR 数据手册 (12 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
RW1A025APT2CR 数据手册 (12 页)
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RW1A025APT2CR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-563-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.044 Ω
极性P-Channel
功耗700 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)2.5A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @6V(Vds)
额定功率(Max)400 mW
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400mW (Ta)
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RW1A025APT2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.7 mm
宽度1.4 mm
高度0.65 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RW1A025APT2CR 数据手册

RW1A025APT2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 0.6 MByte
RW1A025APT2CR 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 3.38 MByte

RW1A025APT2 数据手册

RW1A025APT2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V
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