| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | SOIC-16 |
| 供电电流 | 75 mA |
| 针脚数 | 16 Position |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 内存容量 | 64000000 B |
| 输入电容 | 30 pF |
| 存取时间(Max) | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 10.3 mm |
| 宽度 | 7.5 mm |
| 高度 | 2.55 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
S25FL512SAGMFI011是一款512Mb Flash-NOR非易失性存储器, 带SPI接口. 这是MirrorBit®闪存非易失性存储器CMOS 3V内核, 具有多功能I/O与串行外设接口, 带multi-I/O. 自动启动 - 上电或复位并在预选地址自动执行正常或四读取命令. FL串行闪存减少引脚数量, 以降低系统成本, 同时提供最佳读/写性能.
● SPI时钟极性与相位模式0和3
● 双倍数据速率 (DDR)选项
● 通用闪存接口 (CFI)数据, 用于配置信息
● Quad-input page programming (QPP), 用于慢时钟系统
● 周期耐久性 - 所有扇区100000次编程清除周期 (典型值)
● 数据保留 - 20年(典型值)
● Spansion® 65nm Mirror-bit技术, Eclipse™架构
● -40至85°C工业温度范围
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
137 页 / 4.98 MByte
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146 页 / 1.62 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S25FL512S 系列 512 Mb (64M x 8) 3 V SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-16
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FL-S 系列 512 M (64 M x 8) 3.6 V MirrorBit® 闪存 非易失性 存储器 - BGA-24
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S25FL512SAGMFI011 闪存, 或非, 512 Mbit, 133 MHz, SPI, SOIC, 16 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
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SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, BGA, 24 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, SOIC, 16 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
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