类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 1.50 kV |
额定电流 | 4.00 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 160 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 160 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 1.30 nF |
栅电荷 | 50.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 1.5 kV |
漏源击穿电压 | 1500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
下降时间 | 45 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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