| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | TSOP-48 |
| 供电电流 | 50 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 存取时间 | 90 ns |
| 内存容量 | 4000000 B |
| 存取时间(Max) | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3V, 3.3V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 18.5 mm |
| 宽度 | 12.1 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
并联 NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor
●高性能
●快速随机访问和高带宽
●### 快闪存储器
●闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Spansion（飞索半导体）
83 页 / 1.02 MByte
Spansion（飞索半导体）
83 页 / 1.02 MByte
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL032N90TFI040 闪存, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29GL03N 系列 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-48
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-N 系列 32 M (4M x 8, 2M x 16) 3.6 V 表面贴装 闪存 - TSOP-56
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL032N90BFI040 芯片, 闪存存储器, 32MB, 90NS, 48-BGA
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL032N90TFI030. 芯片, 闪存, MIRRORBIT
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
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