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SBCP68T1G
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SBCP68T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
描述:NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
PDF文件:SBCP68T1G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
SBCP68T1G 数据手册 (5 页)
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SBCP68T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率60 MHz
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
针脚数4 Position
极性NPN
功耗1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)20 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数85 @500mA, 1V
额定功率(Max)1.5 W
直流电流增益(hFE)50
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1500 mW
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SBCP68T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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SBCP68T1G 数据手册

SBCP68T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
SBCP68T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.47 MByte
SBCP68T1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.09 MByte
SBCP68T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

SBCP68T1 数据手册

SBCP68T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
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