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SCT2080KEC
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SCT2080KEC 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:ROHM  SCT2080KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
PDF文件:SCT2080KEC 数据手册 (14 页)
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SCT2080KEC 数据手册 (14 页)
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SCT2080KEC 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.08 Ω
极性N-Channel
功耗179 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)1200 V
上升时间36 ns
输入电容值(Ciss)2080pF @800V(Vds)
额定功率(Max)179 W
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)262W (Tc)
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SCT2080KEC 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.9 mm
宽度20.95 mm
高度5.03 mm
工作温度175℃ (TJ)
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SCT2080KEC 数据手册

SCT2080KEC 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 0.92 MByte
SCT2080KEC 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 0.79 MByte
SCT2080KEC 开发手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
41 页 / 0.88 MByte

SCT2080 数据手册

SCT2080KEC 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  SCT2080KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
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