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SCT2H12NYTB
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SCT2H12NYTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-268-3
描述:碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
PDF文件:SCT2H12NYTB 数据手册 (16 页)
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SCT2H12NYTB 数据手册 (16 页)
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SCT2H12NYTB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
针脚数2 Position
漏源极电阻1.15 Ω
极性N-CH
功耗44 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)1700 V
连续漏极电流(Ids)4A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)184pF @800V(Vds)
下降时间74 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)44W (Tc)
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SCT2H12NYTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度175℃ (TJ)
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SCT2H12NYTB 数据手册

SCT2H12NYTB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
16 页 / 0.83 MByte
SCT2H12NYTB 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 1.07 MByte
SCT2H12NYTB 开发手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
41 页 / 0.88 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
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