| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 92 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 92000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT NPT 600 V 20 A 92 W 通孔 PG-TO220-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
ON Semiconductor（安森美）
IGBT 600V 16A 75W 通孔 TO-220-3
Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
Fairchild（飞兆/仙童）
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
Fairchild（飞兆/仙童）
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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