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SGP10N60RUFDTU
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SGP10N60RUFDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:IGBT 600V 16A 75W 通孔 TO-220-3
PDF文件:SGP10N60RUFDTU 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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SGP10N60RUFDTU 数据手册 (8 页)
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SGP10N60RUFDTU 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗75000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间60 ns
额定功率(Max)75 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)75000 mW
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SGP10N60RUFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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SGP10N60RUFDTU 数据手册

SGP10N60RUFDTU 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.24 MByte
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ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 1.99 MByte
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