类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 10.0 A |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 75 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 60 ns |
额定功率(Max) | 75 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 75000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
ON Semiconductor(安森美)
IGBT 600V 16A 75W 通孔 TO-220-3
Infineon(英飞凌)
在NPT技术降低75 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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