| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 198 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 198 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 198000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W 通孔 PG-TO220-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
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