| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 178000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 178 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 178000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
Infineon（英飞凌）
高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
Fairchild（飞兆/仙童）
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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