Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics（意法半导体） > SGSD100 Datasheet 文档
SGSD100
来自 AiPCBA

SGSD100 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-247-3
描述:互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
PDF文件:SGSD100 数据手册 (10 页)封装尺寸在7 页8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SGSD100 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SGSD100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流25.0 A
封装TO-247-3
额定功率130 W
极性NPN
功耗130000 mW
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流25A
最小电流放大倍数500 @10A, 3V
额定功率(Max)130 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)130000 mW
查看数据手册 >

SGSD100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
查看数据手册 >

SGSD100 数据手册

SGSD100 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.66 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet