| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SC-75 |
| 漏源极电阻 | 1.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 330 mA |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 330mA/0.33A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.25Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated • Gate-Source ESD Protected: 2000V • High-Side Switching • Low On-Resistance: 0.7 • Low Threshold: 0.8 V (typ.) • Fast Switching Speed: 10 ns • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 描述与应用| N沟道1.8 V（G-S）的MOSFET 功率MOSFET：1.8 V额定 •门源ESD保护：2000 V •高边开关 •低导通电阻：0.7 •低阈值：0.8 V（典型值） •开关速度快：10 ns的 •符合RoHS指令2002/95/EC
VISHAY（威世）
134 页 / 1.72 MByte
VISHAY（威世）
8 页 / 0.39 MByte
VISHAY（威世）
7 页 / 0.15 MByte
VISHAY（威世）
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI1022R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V
VISHAY（威世）
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
