| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236 |
| 功耗 | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 0.2~0.6ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -2~-6v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N–Channel JFETs •Ultra-Low Leakage: 0.2 pA •Very Low Current/Voltage Operation •Ultrahigh Input Impedance •Low Noise 描述与应用| •N沟道JFETs •超低漏？？0.2 pA的 •非常低的电流/电压操作 •超高输入阻抗 •低噪声
VISHAY（威世）
6 页 / 0.06 MByte
VISHAY（威世）
5 页 / 0.05 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
