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SI2301BDS-T1-E3
来自 AiPCBA

SI2301BDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2301BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV
PDF文件:SI2301BDS-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI2301BDS-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI2301BDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻100 mΩ
极性P-Channel
功耗900 mW
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)-2.20 A
输入电容值(Ciss)375pF @6V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.7 W
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SI2301BDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
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SI2301BDS-T1-E3 数据手册

SI2301BDS-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.04 MByte
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