SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Intertechnology

SI2301BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	TO-236-3

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)

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VISHAY（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

VISHAY（威世）

P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2301BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Vishay Siliconix

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