| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.11 Ω |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.6 W |
| 阈值电压 | 400 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.3A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 405pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.6 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 860 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
SI2301CDS-T1-E3 是一款-20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
● 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
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P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2301CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
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