类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
功耗 | 1.25 W |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 237pF @10V(Vds) |
下降时间 | 36 ns |
耗散功率(Max) | 1.25 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
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