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SI2302CDS-T1-E3
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SI2302CDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Intertechnology

制造商:Vishay Intertechnology
封装:SOT-23-3
PDF文件:SI2302CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)封装尺寸在5 页6 页
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SI2302CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI2302CDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
漏源极电阻0.045 Ω
功耗710 mW
阈值电压400 mV
漏源极电压(Vds)20 V
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI2302CDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
宽度1.6 mm
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SI2302CDS-T1-E3 数据手册

SI2302CDS-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
9 页 / 0.21 MByte
SI2302CDS-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Intertechnology
8 页 / 0.2 MByte

SI2302CDST1 数据手册

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VISHAY（威世）
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
SI2302CDS-T1-GE3 数据手册
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SI2302CDS-T1-E3 数据手册
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2302CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV
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