| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-236 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.7A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.190Ω @-1.7A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET 描述与应用| P沟道30-V（D-S）的MOSFET
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