类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 8 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 1245pF @4V(Vds) |
下降时间 | 19 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1250 mW |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
P沟道1.25 W, 1.8 V(G -S )的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.25 W, 1.8 V(G -S )的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
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