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SI2318DS-T1-GE3
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2318DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 3A, 40V, 750mW
PDF文件:SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2318DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻0.036 Ω
极性N-Channel
功耗750 mW
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)540pF @20V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)750 mW
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SI2318DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册

SI2318DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.18 MByte
SI2318DS-T1-GE3 其他数据使用手册
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2 页 / 0.09 MByte

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