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SI2318DS-T1-GE3
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:场效应管, MOSFET, N沟道, 3A, 40V, 750mW
PDF文件:SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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焊盘图
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2318DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.036 Ω
极性N-CH
功耗1.25 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)3A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)540pF @20V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)750mW (Ta)
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SI2318DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
最小包装数量3000
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册

SI2318DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.18 MByte
SI2318DS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.19 MByte
SI2318DS-T1-GE3 产品修订记录
VISHAY（威世）
2 页 / 0.09 MByte

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