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SI7866DP-T1
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SI7866DP-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:N沟道MOS管
封装:SO
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焊盘图
引脚图
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SI7866DP-T1 数据手册 (4 页)
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SI7866DP-T1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SO
漏源极电阻2.50 mΩ
极性N-Channel
功耗5.40 W
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)29.0 A

SI7866DP-T1 数据手册

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