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SI3442BDV-T1-E3
来自 AiPCBA

SI3442BDV-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP
描述:N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SI3442BDV-T1-E3 数据手册 (10 页)
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SI3442BDV-T1-E3 数据手册 (10 页)
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SI3442BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP
针脚数6 Position
漏源极电阻0.045 Ω
极性N-Channel
功耗860 mW
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压±12.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间50 ns
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.86 W
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SI3442BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度1.65 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI3442BDV-T1-E3 数据手册

SI3442BDV-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.18 MByte
SI3442BDV-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.17 MByte
SI3442BDV-T1-E3 开发手册
Vishay Semiconductor（威世）
6 页 / 1.89 MByte
SI3442BDV-T1-E3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
1 页 / 0.22 MByte

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