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SI3442CDV-T1-GE3
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SI3442CDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor
PDF文件:SI3442CDV-T1-GE3 数据手册 (12 页)
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SI3442CDV-T1-GE3 数据手册 (12 页)
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SI3442CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.0225 Ω
极性N-Channel
功耗2.7 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)20 V
输入电容值(Ciss)335pF @10V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.7 W
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SI3442CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
宽度1.7 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
12 页 / 0.21 MByte
SI3442CDV-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.21 MByte

SI3442CDVT1 数据手册

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