最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 80mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45~-1V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 描述与应用| P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
VISHAY（威世）
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