Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI3445ADV-T1-E3 Datasheet 文档
SI3445ADV-T1-E3
来自 AiPCBA

SI3445ADV-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI3445ADV-T1-E3 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI3445ADV-T1-E3 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI3445ADV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
漏源极电压(Vds)8 V
上升时间40 ns
额定功率(Max)1.1 W
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
查看数据手册 >

SI3445ADV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

SI3445ADV-T1-E3 数据手册

SI3445ADV-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.08 MByte
SI3445ADV-T1-E3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.09 MByte

SI3445ADVT1 数据手册

SI3445ADV-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445ADV-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445ADV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI3445ADV-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet