| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -8.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.035 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | SI4435DY |
| 输入电容 | 2320 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -8.00 A |
| 上升时间 | 76 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2320pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 30 V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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VISHAY（威世）
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V
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