| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.013 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | IRF7470 |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 1.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3430pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON）最大值= 13mohm ，ID = 10A） Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
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INFINEON IRF7470TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新
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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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