类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 7 Pin |
封装 | Direct-FET |
额定功率 | 89 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 7 Position |
漏源极电阻 | 0.029 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 89 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
漏源击穿电压 | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.2A |
上升时间 | 5 ns |
输入电容值(Ciss) | 2340pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.8 W |
下降时间 | 4.4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 40 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.35 mm |
宽度 | 5.05 mm |
高度 | 0.7 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON IRF6643TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 0.0029 ohm, 10 V, 4 V 新
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MOSFET,InfineonD 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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