类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.54 W |
漏源极电阻 | 0.6 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 540 mW |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.78A |
上升时间 | 18 ns |
热阻 | 230℃/W (RθJC) |
输入电容值(Ciss) | 97pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 540 mW |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 540 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V,Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
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P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
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