类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.5A |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 70 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.5W (Ta) |
VISHAY(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC
VISHAY(威世)
N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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