类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.044 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.90 A |
额定功率(Max) | 1.13W, 1.2W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.13 W |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.55 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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VISHAY SI4532ADY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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