类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.038 Ω |
功耗 | 2.78 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 305pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.78 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A,4.3A 2.78W 表面贴装型 8-SO
Vishay Siliconix
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VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX SI4532CDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
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