类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.038 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 1.78 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 6A |
输入电容值(Ciss) | 305pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.78 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.78 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX SI4532CDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
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