| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 18.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 800 mW |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30v \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 25v 最大漏极电流Id Drain Current | 9A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.0185Ω/Ohm @9A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-1.8V 耗散功率Pd Power Dissipation | 2.5W Description & Applications | N-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 % UIS and Rg Tested 描述与应用 | N沟道减少QG 快速开关MOSFET •根据IEC 61249-2-21的无卤素可用的 •的TrenchFET 功率MOSFET •高效率的PWM优化 •100％的研究所和Rg测试
VISHAY（威世）
6 页 / 0.09 MByte
VISHAY（威世）
12 页 / 0.18 MByte
VISHAY（威世）
N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4800BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
