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SI4810DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4810DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SO
PDF文件:SI4810DY-T1-E3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页
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SI4810DY-T1-E3 数据手册 (8 页)
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SI4810DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SO
漏源极电阻20.0 mΩ
极性N-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)30 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
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SI4810DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI4810DY-T1-E3 数据手册

SI4810DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.17 MByte
SI4810DY-T1-E3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
14 页 / 0.21 MByte

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