类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.015 Ω |
极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.00 A |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI9926CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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