| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.014 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -8.70 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1960pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 5.6 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 5.6 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4835DDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC
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