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STW29NK50ZD
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STW29NK50ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道500 V - 0.11з - 29A TO- 247快速二极管SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 500 V - 0.11з - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH⑩ MOSFET
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STW29NK50ZD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)500 V
额定电流29.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻130 mΩ
极性N-Channel
功耗350W (Tc)
输入电容6.45 nF
栅电荷200 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)18.3 A, 29.0 A
输入电容值(Ciss)6450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)350 W
耗散功率(Max)350W (Tc)
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STW29NK50ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW29NK50ZD 数据手册

STW29NK50ZD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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