Datasheet 搜索
> MOS管 > VISHAY(威世) > SI4888DY-T1 Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 0.000
来自 AiPCBA
SI4888DY-T1 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
封装:
SOP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI4888DY-T1 数据手册
暂未收录 SI4888DY-T1 的数据手册
如有需要,欢迎向管理员发送补充文档请求
申请补充文档
SI4888DY-T1 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图
SI4888DY-T1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOP
漏源极电阻
10.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.60 W
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
10 ns
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3500 mW
SI4888DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
SI4888DY-T1 符合标准
SI4888DY-T1 数据手册
SI4888DY-T1
其他数据使用手册
VISHAY(威世)
5 页 / 0.08 MByte
SI4888 数据手册
SI4888
DY-T1-E3
数据手册
Vishay Siliconix
SI4888
DY-T1-E3
数据手册
Vishay Semiconductor(威世)
SI4888
DY
数据手册
Vishay Siliconix
SI4888
DY-T1-E3
数据手册
VISHAY(威世)
SI4888
DY-T1-GE3
数据手册
Vishay Siliconix
SI4888
DY-T1
数据手册
Vishay Semiconductor(威世)
SI4888
DY-T1
数据手册
VISHAY(威世)
SI4888
DY-T1-GE3
数据手册
Vishay Semiconductor(威世)
SI4888
DY-E3
数据手册
VISHAY(威世)
SI4888
DY-T1-E3
数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
STWD100NYWY3F
LM3900N
FSUSB42UMX
INA333AIDGKR
GRM155R61E105KA12D
LM7912CT
STP110N8F6
TMP102AIDRLR
BLM15AG601SN1D
更多热门型号文档
2SB1412-P-TP
WM8978GEFL/V
2N4118A
CD74HC4002M96
ZRB500F01
CD74HC4002PWR
2N4118A-E3
ZRB500F01TC
CD74HC4002M96G4
863001019TLF
热门型号
ATV320U15N4C
ATV320U40N4C
STM8S103F3P6
IGCM15F60GA
ATV12H075M2
IKCM15F60GA
METSEPM5110
ATS01N222QN
N76E003AT20
TM221CE40R