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SI4925BDY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4925BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4925BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 0.01Ω, -5.3A, SOIC-8, 整卷
PDF文件:SI4925BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4925BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4925BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.02 Ω
极性P-Channel, Dual P-Channel
功耗1.1 W
漏源极电压(Vds)-30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)-7.10 A
上升时间12 ns
热阻85℃/W (RθJA)
下降时间34 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.1 W
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SI4925BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4925BDY-T1-E3 数据手册

SI4925BDY-T1-E3 数据手册
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