| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.02 Ω |
| 极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 1.1 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -7.10 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 34 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor
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VISHAY SI4925BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 0.01Ω, -5.3A, SOIC-8, 整卷
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