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SI4925BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页
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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4925BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
通道数2 Channel
极性Dual P-Channel
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)-5.30 A
额定功率(Max)1.1 W
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SI4925BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.17 MByte
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