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SI4936ADY-T1
来自 AiPCBA

SI4936ADY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SO
描述:双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SI4936ADY-T1 数据手册 (12 页)
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SI4936ADY-T1 数据手册 (12 页)
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SI4936ADY-T1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SO
漏源极电阻36.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.10 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)5.90 A
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SI4936ADY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI4936ADY-T1 数据手册

SI4936ADY-T1 数据手册
VISHAY（威世）
12 页 / 0.25 MByte
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VISHAY（威世）
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