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SI4936ADY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4936ADY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOP-8
PDF文件:SI4936ADY-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI4936ADY-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI4936ADY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
漏源极电阻0.053 Ω
极性Dual N-Channel
功耗1.1 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)5.90 A
上升时间14 ns
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1100 mW
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SI4936ADY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4936ADY-T1-E3 数据手册

SI4936ADY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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